2SCR572D3TL1

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Spezifikation

Artikelnummer

2SCR572D3TL1
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SCR572D3TL1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

30V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 2A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

-
Leistung - max

10W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

2SCR572D3TL1CT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

300MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 5A 300MHz 10W Surface Mount TO-252
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

200 @ 500mA, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

5A

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Das Folgende sind "2SCR572D3TL1" -Einziper.

2SCR573D3TL1

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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2SCR572D3TL1

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