2SCR346PT100P

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Spezifikation

Artikelnummer

2SCR346PT100P
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SCR346PT100P.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2mA, 20mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

MPT3
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Andere Namen

2SCR346PT100PTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 100mA 500mW Surface Mount MPT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

82 @ 10mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "2SCR346PT100P" -Einziper.

2SCR372P5T100Q

Beschreibung: NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

2SCR346PT100P

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