2SC4102T106S

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Spezifikation

Artikelnummer

2SC4102T106S
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 120V 0.05A SOT-323
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SC4102T106S.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

2SC4102T106SCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

140MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 50mA 140MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

180 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA
Basisteilenummer

2SC4102

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Das Folgende sind "2SC4102T106S" -Einziper.

2SC4116-Y,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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