2SAR586D3TL1

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Spezifikation

Artikelnummer

2SAR586D3TL1
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SAR586D3TL1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

320mV @ 100mA, 2A
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

-
Leistung - max

10W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

2SAR586D3TL1TR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 5A 200MHz 10W Surface Mount TO-252
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 500mA, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

5A

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Das Folgende sind "2SAR586D3TL1" -Einziper.

2SAR573D3TL1

Beschreibung: POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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