2SA1812T100Q

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Spezifikation

Artikelnummer

2SA1812T100Q
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 400V 0.5A SOT-89
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SA1812T100Q.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

MPT3
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Andere Namen

2SA1812T100Q-ND
2SA1812T100QTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

12MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 12MHz 500mW Surface Mount MPT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA
Basisteilenummer

2SA1812

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Das Folgende sind "2SA1812T100Q" -Einziper.

2SA1837(LBSAN,F,M)

Beschreibung: TRANS PNP 1A 230V TO220-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SA1812T100Q

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