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22697651SS400TE61-Bild.Rohm Semiconductor

1SS400TE61

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS400TE61
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    100mA
  • Spannung - Durchschlag
    EMD2
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Digi-Reel®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Widerstand @ If, F
    3pF @ 0.5V, 1MHz
  • Polarisation
    SC-79, SOD-523
  • Andere Namen
    1SS400TE61DKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    4ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1SS400TE61
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount EMD2
  • Diodenkonfiguration
    100nA @ 80V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.2V @ 100mA
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    80V
  • Kapazität @ Vr, F
    125°C (Max)
1SS400CSFHT2RA

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Beschreibung: SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS400T1G

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1SS412(TE85L,F)

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vorrätig
1SS413CT,L3F

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1SS413,L3M

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1SS400 RSG

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1SS405,H3F

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1SS400GT2R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMD2

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1SS401(TE85L,F)

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1SS400T5G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1SS404,H3F

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS400SMT2R

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS400CST2RA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS402TE85LF

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Hersteller: TOSHIBA
vorrätig
1SS400-TP

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1SS416,L3M

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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