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HIP6602BCR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HIP6602BCR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannungsversorgung
    10.8 V ~ 13.2 V
  • Supplier Device-Gehäuse
    16-QFN-EP (5x5)
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    20ns, 20ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    16-VQFN Exposed Pad
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • Anzahl der Treiber
    4
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Logikspannung - VIL, VIH
    -
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabetyp
    Non-Inverting
  • High-Side-Spannung - Max (Bootstrap)
    15V
  • Gate-Typ
    N-Channel MOSFET
  • Angetriebene Konfiguration
    Half-Bridge
  • detaillierte Beschreibung
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-QFN-EP (5x5)
  • Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink)
    -
  • Ladestrom
    Synchronous
  • Basisteilenummer
    HIP6602B
P51-2000-A-C-I12-20MA-000-000

P51-2000-A-C-I12-20MA-000-000

Beschreibung: SENSOR 2000PSI M12-1.5 6G 4-20MA

Hersteller: SSI Technologies, Inc.
vorrätig

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