International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP80P06PHXKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

SPP80P06PHXKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPP80P06PHXKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 5.5mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-3-1
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 64A, 10V
Verlustleistung (max)

340W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP000441774
SPP80P06P G
SPP80P06P G-ND
SPP80P06P H
SPP80P06P H-ND
SPP80P06PH
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5033pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

173nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "SPP80P06PHXKSA1" -Einziper.

SPP80N10L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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