International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP15N60CFDHKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

SPP15N60CFDHKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPP15N60CFDHKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 750µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-3-1
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

330 mOhm @ 9.4A, 10V
Verlustleistung (max)

156W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 13.4A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.4A (Tc)

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Das Folgende sind "SPP15N60CFDHKSA1" -Einziper.

SPP14X32

Beschreibung: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION

Hersteller: 3M

vorrätig

SPP15N60CFDHKSA1

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