International Rectifier (Infineon Technologies)

SPI11N60S5BKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

SPI11N60S5BKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPI11N60S5BKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3-1
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "SPI11N60S5BKSA1" -Einziper.

SPI10N10L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPI11N60S5BKSA1

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