International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB42N03S2L-13 G

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Spezifikation

Artikelnummer

SPB42N03S2L-13 G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPB42N03S2L-13 G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 37µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (max)

83W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SP000200137
SPB42N03S2L-13 G-ND
SPB42N03S2L-13G
SPB42N03S2L13GXT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

42A (Tc)

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Das Folgende sind "SPB42N03S2L-13 G" -Einziper.

SPB20N60C3ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPB42N03S2L-13 G

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