International Rectifier (Infineon Technologies)

SPA11N65C3XKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

SPA11N65C3XKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPA11N65C3XKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-FP
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

33W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

SP000216318
SPA11N65C3
SPA11N65C3IN
SPA11N65C3IN-ND
SPA11N65C3XK
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 11A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "SPA11N65C3XKSA1" -Einziper.

SPA11N60C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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