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SIDC73D170E6X1SA2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIDC73D170E6X1SA2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.15V @ 100A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1700V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sawn on foil
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    SIDC73D170E6
    SIDC73D170E6-ND
    SP000013927
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1700V 100A (DC) Surface Mount Sawn on foil
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    27µA @ 1700V
  • Strom - Richt (Io)
    100A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    -
SIDC56D170E6X1SA1

SIDC56D170E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC42D60E6X1SA1

SIDC42D60E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIDEGIG-GUITAREVM

SIDEGIG-GUITAREVM

Beschreibung: EVALUATION MODULE

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIDC53D120H8X1SA1

SIDC53D120H8X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC50D60C6X1SA1

SIDC50D60C6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC56D120E6X1SA1

SIDC56D120E6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC81D120E6X1SA4

SIDC81D120E6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC46D170HX1SA2

SIDC46D170HX1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC81D120F6X1SA1

SIDC81D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC56D120F6X1SA1

SIDC56D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC53D120H6X1SA3

SIDC53D120H6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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