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SIDC06D120H6X1SA4

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Spezifikation

Artikelnummer

SIDC06D120H6X1SA4
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

SIDC06D120H6X1SA4.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 7.5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1200V
Supplier Device-Gehäuse

Sawn on foil
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Die
Andere Namen

SIDC06D120H6
SIDC06D120H6-ND
SP000013215
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 1200V 7.5A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

27µA @ 1200V
Strom - Richt (Io)

7.5A (DC)
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "SIDC06D120H6X1SA4" -Einziper.

SIDC03D120H6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SIDC06D120H6X1SA4

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