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4676569IRLZ24NLPBF-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLZ24NLPBF

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  • Artikelnummer
    IRLZ24NLPBF
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-262
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 11A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.8W (Ta), 45W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Andere Namen
    *IRLZ24NLPBF
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    480pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Tc)
IRLZ24L

IRLZ24L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A TO-262

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IRLZ24NPBF

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IRLZ24SPBF

IRLZ24SPBF

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IRLZ14STRL

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IRLZ24LPBF

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IRLZ24S

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IRLZ14SPBF

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IRLZ14STRRPBF

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IRLZ24NS

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

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IRLZ14STRLPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

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IRLZ24NSTRL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

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IRLZ24NSPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

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IRLZ24PBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB

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IRLZ14STRR

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

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IRLZ24

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IRLZ24STRL

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IRLZ24NSTRR

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IRLZ24NSTRLPBF

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IRLZ14S

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IRLZ24NL

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