IRLR3103TRLPBF

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3000+

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Spezifikation

Artikelnummer

IRLR3103TRLPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRLR3103TRLPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max)

107W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SP001558904
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

55A (Tc)

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Das Folgende sind "IRLR3103TRLPBF" -Einziper.

IRLR2908TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRLR3103TRLPBF

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