IRLR2703TRLPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRLR2703TRLPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRLR2703TRLPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

45W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SP001558400
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

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Das Folgende sind "IRLR2703TRLPBF" -Einziper.

IRLR230ATM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IRLR2703TRLPBF

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