IRLML2803GTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRLML2803GTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRLML2803GTRPBF.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

85pF @ 25V
Spannung - Durchschlag

Micro3™/SOT-23
VGS (th) (Max) @ Id

250 mOhm @ 910mA, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

HEXFET®
RoHS Status

Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2A (Ta)
Polarisation

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

IRLML2803GTRPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Hersteller-Teilenummer

IRLML2803GTRPBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5nC @ 10V
IGBT-Typ

±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1V @ 250µA
FET-Merkmal

N-Channel
Expanded Beschreibung

N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30V
Kapazitätsverhältnis

540mW (Ta)

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Das Folgende sind "IRLML2803GTRPBF" -Einziper.

IRLML5203GTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3

Hersteller: Infineon Technologies

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