International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLHM620TR2PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRLHM620TR2PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRLHM620TR2PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 50µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PQFN (3x3)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.7W (Ta), 37W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-VQFN Exposed Pad
Andere Namen

IRLHM620TR2PBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3620pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

26A (Ta), 40A (Tc)

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Das Folgende sind "IRLHM620TR2PBF" -Einziper.

IRLHS2242TRPBF

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRLHM620TR2PBF

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