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3510001IRL520NPBF-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL520NPBF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRL520NPBF
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    48W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    *IRL520NPBF
    SP001558080
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    440pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Tc)
IRL520STRR

IRL520STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

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IRL520LPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262

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IRL520STRL

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IRL520NSTRL

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IRL520PBF

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IRL520L

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IRL530

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IRL520

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IRL520S

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IRL510STRL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

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IRL510SPBF

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IRL520NL

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IRL510S

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

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IRL520NSPBF

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IRL520NSTRR

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

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IRL520NSTRLPBF

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IRL510STRR

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IRL510STRLPBF

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IRL510PBF

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IRL520NS

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