International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL2203NLPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRL2203NLPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRL2203NLPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-262
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 180W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

*IRL2203NLPBF
SP001558636
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

116A (Tc)

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Das Folgende sind "IRL2203NLPBF" -Einziper.

IRL1404ZS

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRL2203NLPBF

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