IRG7U100HF12B

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Spezifikation

Artikelnummer

IRG7U100HF12B
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRG7U100HF12B.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse

POWIR® 62
Serie

-
Leistung - max

580W
Verpackung / Gehäuse

POWIR® 62 Module
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor

No
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE

12.5nF @ 25V
Eingang

Standard
IGBT-Typ

-
detaillierte Beschreibung

IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 580W Chassis Mount POWIR® 62
Strom - Collector Cutoff (Max)

1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

200A
Konfiguration

Half Bridge

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Das Folgende sind "IRG7U100HF12B" -Einziper.

IRG7T300HF12B

Beschreibung: MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRG7U100HF12B

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