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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFSL3307ZPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFSL3307ZPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFSL3307ZPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-262
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

230W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 75V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFSL3307ZPBF" -Einziper.

IRFSL38N20DPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFSL3307ZPBF

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