IRFR3708TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFR3708TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFR3708TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

87W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IRFR3708TRPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2417pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 61A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

61A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFR3708TRPBF" -Einziper.

IRFR3708TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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