International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM8363TR2PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFHM8363TR2PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFHM8363TR2PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Supplier Device-Gehäuse

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max

2.7W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

IRFHM8363TR2PBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A
Basisteilenummer

IRFHM8363PBF

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Das Folgende sind "IRFHM8363TR2PBF" -Einziper.

IRFHM9331TRPBF

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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