International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH8318TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFH8318TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFH8318TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

3.6W (Ta), 59W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

IRFH8318TRPBFTR
SP001572710
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

27A (Ta), 120A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFH8318TRPBF" -Einziper.

IRFH8324TR2PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFH8318TRPBF

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