International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFBA90N20DPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFBA90N20DPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFBA90N20DPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SUPER-220™ (TO-273AA)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 59A, 10V
Verlustleistung (max)

650W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

Super-220™-3 (Straight Leads)
Andere Namen

*IRFBA90N20DPBF
SP001551776
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

98A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFBA90N20DPBF" -Einziper.

IRFBA1404P

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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