International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4321GPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFB4321GPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFB4321GPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max)

330W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP001556020
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

83A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFB4321GPBF" -Einziper.

IRFB4227PBF

Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies

vorrätig

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