4195031

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF9Z34NLPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF9Z34NLPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF9Z34NLPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-262
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

*IRF9Z34NLPBF
SP001570616
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 55V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF9Z34NLPBF" -Einziper.

IRF9Z34NSTRRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF9Z34NLPBF

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