International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF9952QTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF9952QTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF9952QTRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2.2A, 10V
Leistung - max

2W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF9952QTRPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.5A, 2.3A
Basisteilenummer

IRF9952QPBF

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Das Folgende sind "IRF9952QTRPBF" -Einziper.

IRF9953TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF9952QTRPBF

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