International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF8306MTR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF8306MTR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF8306MTR1PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ MX
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 23A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta), 75W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric MX
Andere Namen

IRF8306MTR1PBFTR
SP001551608
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4110pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Body)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 23A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Ta), 140A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF8306MTR1PBF" -Einziper.

IRF830

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

IRF8306MTR1PBF

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