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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7811WTR

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7811WTR
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRF7811WTR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SP001572286
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2335pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 14A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14A (Ta)

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Das Folgende sind "IRF7811WTR" -Einziper.

IRF7815TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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