International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7759L2TR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7759L2TR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7759L2TR1PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET L8
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 96A, 10V
Verlustleistung (max)

3.3W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric L8
Andere Namen

IRF7759L2TR1PBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12222pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

26A (Ta), 375A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF7759L2TR1PBF" -Einziper.

IRF7755

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7759L2TR1PBF

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