International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7493TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7493TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7493TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 5.6A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF7493PBFTR
IRF7493TRPBF-ND
IRF7493TRPBFTR-ND
SP001575326
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.3A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF7493TRPBF" -Einziper.

IRF7493PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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