International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6718L2TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6718L2TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF6718L2TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET L6
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.7 mOhm @ 61A, 10V
Verlustleistung (max)

4.3W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric L6
Andere Namen

IRF6718L2TRPBFDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

61A (Ta), 270A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF6718L2TRPBF" -Einziper.

IRF6715MTR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6718L2TRPBF

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