620787

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6712STR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6712STR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF6712STR1PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ SQ
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)

2.2W (Ta), 36W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric SQ
Andere Namen

IRF6712STR1PBF-ND
IRF6712STR1PBFTR
SP001530880
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 17A (Ta), 68A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Ta), 68A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF6712STR1PBF" -Einziper.

IRF6706S2TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF6712STR1PBF

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