International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6631TR1PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6631TR1PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF6631TR1PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ SQ
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric SQ
Andere Namen

IRF6631TR1PBFDKR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 13A (Ta), 57A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta), 57A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF6631TR1PBF" -Einziper.

IRF6626TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF6631TR1PBF

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