International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT059N15N3ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPT059N15N3ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPT059N15N3ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 150A, 10V
Verlustleistung (max)

375W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerSFN
Andere Namen

IPT059N15N3
IPT059N15N3ATMA1TR
SP001100162
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

155A (Tc)

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Das Folgende sind "IPT059N15N3ATMA1" -Einziper.

IPT1-102-01-S-D-RA-PL

Beschreibung: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Hersteller: Samtec, Inc.

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