International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP80N06S2L-07

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Spezifikation

Artikelnummer

IPP80N06S2L-07
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPP80N06S2L-07.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)

210W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 80A (Tc) 210W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "IPP80N06S2L-07" -Einziper.

IPP80N06S2L09AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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