International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP12CN10LGXKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPP12CN10LGXKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPP12CN10LGXKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO-220-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 69A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

69A (Tc)

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Das Folgende sind "IPP12CN10LGXKSA1" -Einziper.

IPP16CN10NGHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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