International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP100N08N3GHKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPP100N08N3GHKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPP100N08N3GHKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 46µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO-220-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 46A, 10V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP000474188
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

70A (Tc)

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Das Folgende sind "IPP100N08N3GHKSA1" -Einziper.

IPP10N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPP100N08N3GHKSA1

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