International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP084N06L3GHKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPP084N06L3GHKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPP084N06L3GHKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 34µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO-220-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP000398080
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "IPP084N06L3GHKSA1" -Einziper.

IPP076N12N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPP084N06L3GHKSA1

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