International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP048N12N3GXKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPP048N12N3GXKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 230µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

IPP048N12N3 G
IPP048N12N3 G-ND
IPP048N12N3G
SP000652734
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

182nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

120V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 120V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "IPP048N12N3GXKSA1" -Einziper.

IPP050N06N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPP048N12N3GXKSA1

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