International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI65R310CFDXKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPI65R310CFDXKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPI65R310CFDXKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 440µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

310 mOhm @ 4.4A, 10V
Verlustleistung (max)

104.2W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
SP000891700
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.4A (Tc)

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Das Folgende sind "IPI65R310CFDXKSA1" -Einziper.

IPI65R190CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPI65R310CFDXKSA1

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