International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD95R2K0P7ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 950V 4A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD95R2K0P7ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1.7A, 10V
Verlustleistung (max)

37W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD95R2K0P7ATMA1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

950V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 950V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD95R2K0P7ATMA1" -Einziper.

IPD90P04P405AUMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD95R2K0P7ATMA1

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