International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R420CFDAATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD65R420CFDAATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD65R420CFDAATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 345µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 3.4A, 10V
Verlustleistung (max)

83.3W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SP000928262
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.7A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD65R420CFDAATMA1" -Einziper.

IPD65R600E6BTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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