International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R800CEATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD60R800CEATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD60R800CEATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 170µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

48W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD60R800CEATMA1TR
SP001276028
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

373pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 5.6A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.6A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD60R800CEATMA1" -Einziper.

IPD60R950C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD60R800CEATMA1

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