International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R3K3C6ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD60R3K3C6ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD60R3K3C6ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™ C6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

18.1W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD60R3K3C6ATMA1DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

93pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.7A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD60R3K3C6ATMA1" -Einziper.

IPD60R450E6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD60R3K3C6ATMA1

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