International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R500CEBTMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD50R500CEBTMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.IPD50R500CEBTMA1.pdf
2.IPD50R500CEBTMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 2.3A, 13V
Verlustleistung (max)

57W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD50R500CE
IPD50R500CEBTMA1TR
IPD50R500CEINTR
IPD50R500CEINTR-ND
SP000988424
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

433pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

13V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.6A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD50R500CEBTMA1" -Einziper.

IPD50R399CPATMA1

Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD50R500CEBTMA1

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