IPC028N03L3X1SA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPC028N03L3X1SA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPC028N03L3X1SA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

-
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

Sawn on foil
Serie

OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung / Gehäuse

Die
Andere Namen

SP000555720
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V Surface Mount Sawn on foil
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "IPC028N03L3X1SA1" -Einziper.

IPC022N03L3X1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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